近期，互联网上关于“65纳米光刻机”的讨论颇为热烈，但诸多言论缺乏权威依据，导致不少人对这一技术概念的理解愈发模糊。有人仅凭“8纳米套刻精度”来阐释65纳米光刻机的分辨能力，这种简化处理加深了混淆。幸运的是，随着科普工作的推进，大众逐渐达成一项共识：提及的65纳米分辨率、搭配8纳米套刻精度的ArF光源光刻机，其原型大约是20年前阿斯麦公司推出的“XT:1460K”型号。
接下来的问题是，这款光刻机能否借助多重曝光技术达到更高级别的芯片制造节点？回顾2008年IEEE发表的一篇文章，文中探讨了193纳米光刻机在套刻精度控制上的挑战，我们借此文数据分析来简要概括。
文章中列举了阿斯麦一系列光刻机，从干式（如870G至1400E）演进到初代浸没式（如1700Fi、1900Gi），展示了它们的分辨率与套刻精度变化。图表中，顶部蓝色线条代表光刻机分辨率，干式光刻时代，这几乎等同于芯片的节点名称。显而易见，阿斯麦的XT:1400E型干式ArF光刻机匹配了65纳米分辨率和8纳米套刻精度的标准。
橙色线条则展示了在特定分辨率下允许的最大套刻精度偏差，例如在65纳米分辨率下，允许的偏差为11纳米。因此，8纳米的套刻精度完全满足65纳米工艺标准。值得注意的是，在65纳米节点前，因套刻精度有较大余量，其重要性未被充分重视。而抵达65纳米时，随着干式光刻接近极限，套刻精度的富余空间几近消失。
需强调的是，上述套刻精度标准是基于单次曝光而言。
实际情况中，阿斯麦跳过了65纳米光刻机直接进入浸没式技术，用于32纳米、28纳米芯片的大规模生产。不过，历史资料显示，该公司曾探索使用数值孔径为0.93的65纳米干式光刻机，通过双重曝光技术实现40纳米分辨率，这在2006年的IEEE会议上有论文记载。
该研究指出，对于0.93数值孔径的65纳米光刻机，单次曝光要求的套刻精度为8纳米，而在双重曝光模式下，要求进一步提高到5.6纳米。这意味着，即便是8纳米套刻精度，在双重曝光至40纳米分辨率的需求面前也显得不够。况且，40纳米仅是浸没式光刻机单次曝光的水平。
根据可得的历史资料分析，65纳米分辨率、8纳米套刻精度的光刻机主要适用于65至55纳米的芯片制造过程，无法有效通过双重曝光技术跨入32纳米、28纳米等更精细的制造领域。
