导读：近日，位于西永微电园的联合微电子创新中心，其自主研发的8吋硅基光电子特色工艺平台生产的第一张工程批硅基光芯片在这里展示，其光损耗率等核心指标领先全球。
重庆围绕“芯屏器核网”全产业链发展，大力推进关键零部件研发创新，依托英特尔FPGA创新中心、联合微电子创新中
近日，位于西永微电园的联合微电子创新中心，其自主研发的8吋硅基光电子特色工艺平台生产的第一张工程批硅基光芯片在这里展示，其光损耗率等核心指标领先全球。
重庆围绕“芯屏器核网”全产业链发展，大力推进关键零部件研发创新，依托英特尔FPGA创新中心、联合微电子创新中心等研发机构，联合企业和科研院所开展攻关，在功率半导体、硅光、中高频器件、传感器等领域加大研发力度，努力打造全国重要的电子核心零部件产业*
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记者 张锦辉 摄
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- 本文标题：联合微电子创新中心工程批硅基光芯片亮相 光损耗率等核心指标领先全球
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